Статистика |
Онлайн всего: 1 Гостей: 1 Пользователей: 0 |
|
Показано 16-21 из 21 сообщений
6.
Виктор Щербатский
(14.10.2009 08:31)
0
1. Мы, в своей теории, не разделяем сверхпроводники на I и П род., так как считаем, что механизм сверхпроводимости у них общий - мультиэлектронный. Чтобы определить, при какой достижимой индукции магнитного поля происходит разрушение носителя тока (мультиэлектрона) в сверхпроводнике, нужно положить, соответствующий магнитному полю, предел плотности энергии электрического поля, который, в данном случае, порядка 1011 В/м. Это соответствует магнитной индукции 107 Гс, или 1000 Тс (Тесла). Индукция в обычных трансформаторах составляет 1..1,5 Тс, в специальных – до 40 Тс. Сверхпроводники НТСП выдерживают 2..20 Тс (Nb3Sn – 22 Тс), ВТСП ReFeAsO и NdFeAsO0,8F0,18 до 300 Тс. Таким образом, мультиэлектронный сверхпроводник в своей работе с лихвой перекрывает достигнутые пределы магнитных полей. Также важной характеристикой является отсутствие деградации и стабильность в работе. Первые образцы у нас получены в 2002 году. Их работоспособность сохранилась до сих пор. 2. В видеофильме выступал зам. Гл.инженера НИИЭТ Дерунов В.Л. Возможно он не четко назвал частотные пределы работы ячейки памяти на СП. Это относится к недостаткам любительского фильма. На самом деле речь идет о 100 Ггц. Однако в том, что на частотные свойства влияет расстояние от ячейки памяти до процессора, Вы совершенно правы. Изготовление соединительных дорожек из СП не только устраняет тепловые потери, но и уменьшает процессы релаксации сигнала. Тут СП, в какой-то степени, соответствует лавинным приборам, характеризующимся сверхбыстродействием. Аппаратура Anritsu MG3690B (ГСС с осциллографом) позволяет исследовать процессы вплоть до 300 Ггц. Именно это и имелось в виду. 3. Иголки на одной пластине использованы только для демонстрации сверхпроводящего эффекта при комнатной температуре. В реальности предусматривается технология MOSFET, возможно сверхпроводящий канал будет вертикальым. Существующие транзисторы имеют сопротивление в открытом состоянии 10-3 Ом (IRF6718). У нас - менее 10-9 Ом. Технологический контроль таких сопротивлений представляет не простую задачу. Соединений СП дорожек в структуре одного транзистора не имеется. Однако если использовать технологию в СБИС, то магнетронное напыление, в принципе позволяет изготавливать соединительные дорожки и соединения со слоевой СП структурой, предложенной нами. Но специально этот вопрос нами еще не прорабатывался. Это предусмотрено, в дальнейшем. 4. Максимальная частота переключений ограничивается собственными частотными колебаниями носителя тока – мультиэлектрона, которые по нашим расчетам составляют 1015 Гц (1015=1 Пгц –Петагерц). Это природное ограничение на частотную характеристику СП. Но так как мы делаем только первые шаги в практическом применении СП, то решили ограничиться частотами 100Кгц. Потому, что Транзисторы СП будут спроектированы в первую очередь для Блоков питания. Это поможет избавиться от нагрева, радиаторов и кулеров. Также предусматривается их применение в автомобильной промышленности. Но это не требует сверхвысоких частот.
|
5.
Дмитрий Морозов
(14.10.2009 08:30)
0
День добрый! Было очень сложно найти ваш ящик, я надеюсь, что вы все-таки Виктор Щербатский. Я посмотрел ваш фильм о вашем сверхпроводнике и возник ряд вопросов: 1)не разрушится ли ваш сверхпроводник от магнитного поля?(второй род или первый) 2)эффект ячейки памяти: вы говорите, быстродействие будет превышать 100МГц. Существующие ячейки памяти(защелки кэша) работают со скоростью процессора. Т.е. 8ГГц. В микросхемах ОЗУ поменьше: http://ru.wikipedia.org/wiki/DDR3_SDRAM Максимум, 300 МГц. Дело не в максимальной скорости переключения, а в расстоянии от процессора до ячейки памяти. 3)эффект транзистора: три иголки на одной пластине и получаем управление тока. Как быть со спайкой дорожек? В смысле, если нам необходимо соединить две проводящие дорожки, без управляющего эффекта. 4)Максимальная предпологаемая частота переклбчений транзистора.
|
4.
Виктор Щербатский
(13.10.2009 21:41)
0
Да, демонстрируются образцы SIS: сверхпроводящий и контрольный (последний для исключения возможного влияния поверхностных и контактных возмущений).
Да, результаты доложены на конференции и опубликованы. См. например, Высокотемпературные сверхпроводники и металлы в особых условиях. Актуальные проблемы физики твёрдого тела» ( ФТТ-2005) г. Минск., 2005. http://ifttp.bas-net.by/files/ftt2005/2_43.pdf
Да, идеальный магнетизм наблюдался. Для этого магнитные свойства образцов были специально определены, хотя и не полностью, так как эта процедура весьма трудоемкая и дорогостоящая. Выполненные магнитные измерения коэффициента диамагнитной восприимчивости, который оказался равным 6•10-2, подтвердили достигнутый положительный результат.
Фактически мы делаем еще только первые шаги. Тем не менее, сверхпроводящий при комнатной температуре транзистор, в его простейшем варианте, был реализован и получены необходимые ВАХ. Сейчас нами прорабатываются варианты нанотехнологии его изготовления в виде опытно-промышленных образцов. После необходимой процедуры патентования результатов вся информация будет опубликована. По вопросу сверхпроводимости в наносистемах, хотим обратить Ваше внимание на то, что все наши результаты были получены на основе гипотезы о том, что электроны имеют, кроме электрического, еще и цветовой заряд. Т.е. обладают скрытой цветовой симметрией по аналогии с кварками. Мы получили косвенные доказательства того, что существуют черные и белые электроны, которые при определенных условиях могут преодолевать кулоновское и центробежное отталкивание и образовывать куперовские пары, ковалентные пары, микроплазменные объединения и другие эффекты. Как известно, подобные явления ни в физике твердого тела, ни в других разделах науки раньше не учитывались. Если в своих исследованиях Вы будете иметь в ввиду наличие цветового заряда у электронов, то несомненно получите новые результаты.
|
3.
Смолянкина Ольга
(13.10.2009 21:39)
0
В таком случае результаты крайне интересны! С первого раза не очень внимательно смотрела... ведь демонстрируется образец SIS, верно? Просто в фильме фигурирует "диэлектрик-металл-диэлектрик", и это не совсем понятно.
Опубликованы ли где-то экспериментальные данные по измерению температурной зависимости сопротивления данного ВТСП? Особенно интересен предел 620К.... Наблюдали ли вы в этих втсп-образцах идеальный диамагнетизм? Эти вопросы естественно возникают, несмотря на то, что фильм очень чётко демонстрирует возникающие эффекты Джозефсона.
И ещё мне очень интересен вопрос сверхпроводимости в наносистемах. Я так понимаю, вы исследуете тонкие плёнки. Но при этом были упомянуты транзистор и одноэлектронное туннелирование. Можно ли узнать какие эксперименты проводились вашей группой в этом направлении? Возможно, есть опубликованные результаты? Я, к сожалению, в опубликованном варианте встречала только результаты группы Тинкхама в PhyRev: они исследовали транзисторы на металлических сверхпроводниках с гелиевым охлаждением...
|
2.
Виктор Щербатский
(13.10.2009 21:38)
0
Уважаемая Ольга! Благодарим за проявленный интерес к теме комнатнотемпературной сверхпроводимости.Отвечаем на Ваши Вопросы: 1. как происходит охлаждение образца SIS? Образцы SIS никак не охлаждаются, в этом нет необходимости, так их рабочий температурный диапазон составляет 77..620К (-196..347С) 2. при каких температурах происходит эксперимент? Эксперимент проведен при комнатной температуре в лаборатории (~20C). 3. какой диэлектрик и какой ВТСП используются? Это наше ноу-хау. Но в опубликованной теории (http://viktor19451.narod.ru/NanoSC.pdf )рассмотрен вариант изготовления образцов по методу "сэндвича В.Л.Гинзбурга"(слои металла-диэлектрика-металла). Можно выбрать в качестве Диэлектрика SiO2 или чистый Si, а в качестве металла изовалентный элемент - Ge,Sn или С. Далее по нашей методике производится расчет толщины слоев с учетом КЛТР. 4. на какой подложке? Для тех, кто работает в электронике, подложку целесообразно взять из Si. Возможно, в фильме об этом умалчивается по каким-то причинам, но очень интересно узнать :) Мы делаем только первые шаги в комнатной сверхпроводимости, по мере получения надежных результатов как в теории, так в экмпериментах, будем их сообщать.
|
1.
Смолянкина Ольга
(13.10.2009 21:35)
0
Очень интересный фильм! Но остались вопросы: 1. как происходит охлаждение образца SIS? 2. при каких температурах происходит эксперимент? 3. какой диэлектрик и какой ВТСП используются? 4. на какой подложке? Возможно, в фильме об этом умалчивается по каким-то причинам, но очень интересно узнать :)
|
|
|
|